電子設(shè)備的散熱變得越來(lái)越重要，因?yàn)檫@些設(shè)備的封裝密度不斷增加，導(dǎo)致在緊湊的封裝空間中產(chǎn)生大量熱量，散熱不佳會(huì)使電子產(chǎn)品的壽命及性能穩(wěn)定性大打折扣。為了改善散熱，需要具有高導(dǎo)熱性的電絕緣材料，改善電子產(chǎn)品散熱能力的一種常見方法是使用含有導(dǎo)熱填料的聚合物基復(fù)合材料。如東鎂制品

通常，二氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼等被廣泛用作絕緣導(dǎo)熱填料。二氧化硅性價(jià)比高，但其導(dǎo)熱率低，散熱能力無(wú)法應(yīng)對(duì)發(fā)熱量增加，氧化鋁比二氧化硅具有更高的導(dǎo)熱性，因而具有更好的散熱性，但缺點(diǎn)是硬度高，制造設(shè)備易磨損。氮化鋁、氮化硼等氮化物基填料具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性，但價(jià)格昂貴，應(yīng)用范圍有限。氧化鎂導(dǎo)熱系數(shù)比二氧化硅高一個(gè)數(shù)量級(jí)，約為氧化鋁的兩倍[45-60W/(m.K)，參考數(shù)值來(lái)自Konoshima]，硬度低于氧化鋁（氧化鋁莫氏硬度9，氧化鎂莫氏硬度6），可以減少對(duì)制造設(shè)備的磨損，其價(jià)格又低于氮化物系列導(dǎo)熱填料，被視為“導(dǎo)熱填料”候選者。